介質損耗因數測定儀實驗原理:

介電體（又稱電介質）zui基本的物理性質是它的介電性，對介電性的研究不但在電介質材料的應用上具有重要意義，而且也是了解電介質的分子結構和激化機理的重要分析手段之一，探索高介電常數的電介質材料，對電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數（又稱電容率）是反映材料特性的重要參量，電介質極化能力越強，其介電常數就越大。測量介電常數的方法很多，常用的有比較法，替代法，電橋法，諧振法，表法，直流測量法和微波測量法等。各種方法各有特點和適用范圍，因而要根據材料的性能，樣品的形狀和尺寸大小及所需測量的頻率范圍等選擇適當的測量方法。

介質損耗因數測定儀特點： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

主要技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數顯，±1Q分辨率

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

標簽：介電常數測試儀

介電常數介質損耗因數測試儀

介質損耗因數角測試儀

裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

使用條件

①環(huán)境溫度： 0～40℃

②相對溫度：≤70%

③供電電流：交流 220V±10%50Hz

2.3 儀器可連續(xù)工作 8 小時

2.4 消耗功率：約 10W

2.5 外形尺寸：長寬深 355mm×320mm×145mm

2.6 重量：約 6kg(主機)